Просмотр исходного текста страницы Лаборатория наноструктур и тонких пленок

== '''Лаборатория наноструктур и тонких пленок''' ==

В [[ИПЛИТ РАН]] разработаны модификации метода импульсного лазерно-плазменного осаждения тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков, которые обеспечивают высокое совершенство кристаллической структуры и стабильность параметров получаемых пленок и наноструктур.
[[Файл:схема экпериментальной уставки.jpg|right|thumb|200px|схема экпериментальной уставки]]
'''Реализованы технологии лазерно-плазменного осаждения:'''

* пленок из сложных веществ для оптоэлектроники, в частности, светоизлучающих структур УФ диапазона на базе ZnO                       ''(p-n переходы, квантовые ямы, нанострежни и точки)''
* квантово-размерных структур в спинронике ''(спин-туннельные наноструктуры на базе многослойных тонких пленок ферромагнетиков,   полупроводников и диэлектриков,а также формирование ферромагнитных нанокластеров в наноразмерных пленках полупроводниковых матриц)''
* высокопроводящих прозрачных покрытий для солнечных элементов
[[Файл:процесс_ЛПН.jpg|right|thumb|200px|процесс лазерно-плазменного напыления]]
[[Файл:Вид_экспериментальной_установки_ЛПН.jpg|right|thumb|200px|Вид_экспериментальной_установки_ЛПН]]