ИПЛИТ РАН/Аспирантура — различия между версиями

Версия 11:59, 2 апреля 2014

АСПИРАНТУРА ИПЛИТ РАН

• Лицензия: серия ААА № 002897, регистрационный номер 2772 от 19 апреля 2012 года Срок действия лицензии: бессрочно
• Приложение к Лицензии стр1
• Приложение к Лицензии стр2
• Государственная аккредитация аспирантуры ИПЛИТ РАН

Положения, нормативные документы

• Положение об аспирантуре ИПЛИТ РАН
• Положение о стипендиальном обеспечении

Приказы, объявления

• Расписание спецкурсов аспирантуры ИПЛИТ РАН на 2012 −2013 учебный год
• Приказ о проведении аттестации аспирантов ИПЛИТ РАН в 2012 г.

Прием в аспирантуру 2014

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук проводит в 2014 году прием в аспирантуру по направлениям подготовки:

• 11.06.01 — Электроника, радиотехника и системы связи (бесплатное и платное обучение),
• 12.00.00 — Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии (платное обучения),

в соответствии с действующей лицензией на право ведения образовательной деятельности по программе послевузовского профессионального образования (серия ААА, № 002897, регистрационный № 2772), выданной Федеральной службой по надзору в сфере образования и науки 19.04.2012 г. по специальностям: 05.11.17 — «Приборы, системы и изделия медицинского назначения»; 05.27.03 — "Квантовая электроника,

и государственной аккредитацией (свидетельство № 0379 от 29.12.2012 г.) по укрупненной группе направлений подготовки и специальностей послевузовского профессионального образования 05.27.00 — Электроника (аспирантура).

Контрольные цифры приема в бюджетную аспирантуру ИПЛИТ РАН на 2014 г. по направлению подготовки 11.06.01 — 2 чел. (Приказ Министерства образования и науки РФ от 27.12.2013 г. № 1417).

Подготовка аспирантов осуществляется ведущими специалистами института. По специальности 05.27.03 — «Квантовая электроника» на базе ИПЛИТ РАН действует Диссертационный совет Д 002.126.01 для защиты диссертаций на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, кандидата технических наук.

Срок обучения в очной аспирантуре — три года, заочной — четыре года.

Согласно приказу Минобрнауки России от 12 августа 2011 г. № 2202 «Об утверждении Перечня специальностей научных работников технических и естественных отраслей наук, срок обучения по которым в аспирантуре (адъюнктуре) государственных и муниципальных образовательных учреждений высшего профессионального образования, образовательных учреждений дополнительного профессионального образования, научных организаций может составлять четыре года в очной форме, пять лет в заочной форме», срок обучения по всем специальностям аспирантуры ИПЛИТ РАН может быть при зачислении продлен до четырех лет в очной и пяти лет в заочной аспирантуре.

Гражданам Российской Федерации, принятым в очную аспирантуру ИПЛИТ РАН, предоставляется отсрочка от армии. Иногородним аспирантам предоставляется общежитие.

Контактная информация: ИПЛИТ РАН, г. Шатура Московской области, ул. Святоозерская, д. 1, корпус 1А, к. 203. Тел. 8 (49645) 22200, доб. 121. E-mail: novikova [@] shatura.laser.ru

• Правила приема в аспирантуру ИПЛИТ РАН в 2014 г.
• Программа вступительного экзамена в аспирантуру ИПЛИТ РАН по специальной дисциплине

Учебные планы

• Учебный план по специальности 05.27.03 – Квантовая электроника

Рабочие программы дисциплин

• Рабочая программа дисциплины «История и философия науки»
• Рабочая программа дисциплины «Иностранный язык (Английский язык)»
• Рабочая программа дисциплины «Мощные технологические лазеры»
• Рабочая программа дисциплины «Лазерные технологии»

Кандидатские экзамены

• Порядок сдачи кандидатского экзамена по курсу «История и философия науки»
• Программа кандидатского экзамена по курсу «История и философия науки»
• Порядок сдачи экзамена по иностранному языку
• Программа кандидатского экзамена по курсу «Иностранный язык (Английский язык)»
• Программа кандидатского экзамена по специальности 05.27.03 – «Квантовая электроника»

См. также

• ИПЛИТ РАН
• ИПЛИТ РАН/Диссертации