Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН — различия между версиями

Материал из ЭНЭ
Перейти к: навигация, поиск
м (Диссертационный совет)
м (реорганизация)
Строка 24: Строка 24:
 
== История ==
 
== История ==
 
Институт был создан как [[НИЦТЛ АН|Научно-исследовательский центp по технологическим лазеpам]] [[АН СССР]] в [[1979]] году. Идея создания центра принадлежала академику [[Велихов, Евгений Павлович|Е. П. Велихову.]]. Во время перестройки входил в [[МНТК]] «Технологические лазеры».
 
Институт был создан как [[НИЦТЛ АН|Научно-исследовательский центp по технологическим лазеpам]] [[АН СССР]] в [[1979]] году. Идея создания центра принадлежала академику [[Велихов, Евгений Павлович|Е. П. Велихову.]]. Во время перестройки входил в [[МНТК]] «Технологические лазеры».
 +
 +
23 марта 2016 года Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ''Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук'' был реорганизован путем вхождения в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук.<ref>Приказ ФАНО № 108 от 23.03.2016 г. "Об утверждении новой редакции устава Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр „Кристаллография и фотоника“ Российской академии наук» и Устав Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр „Кристаллография и фотоника“ Российской академии наук»".</ref>
 +
 +
1 апреля 2016 года на базе Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук создано Федеральное государственное учреждение «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук». Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН стал филиалом Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук».
 +
  
 
== Диссертационный совет ==
 
== Диссертационный совет ==
Строка 43: Строка 48:
 
* [[:Файл:В.С.Майоров История-ТЛТ.pdf|В. С. Майоров. История развития термической лазерной технологии в ИПЛИТ РАН. Шатура 2004 г.]]
 
* [[:Файл:В.С.Майоров История-ТЛТ.pdf|В. С. Майоров. История развития термической лазерной технологии в ИПЛИТ РАН. Шатура 2004 г.]]
 
* [[НИЦТЛ АН]]
 
* [[НИЦТЛ АН]]
 +
 +
== Примечания ==
 +
<references />
  
 
== Ссылки ==
 
== Ссылки ==

Версия 15:59, 25 мая 2016

ИПЛИТ РАН, г.Шатура, ул. Святоозерская, 1

Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук (ИПЛИТ РАН) (до 1998 г. — НИЦТЛ РАН — Научно-исследовательский центp по технологическим лазеpам Российской академии наук)

Официальное название на английском языке -Institute on Laser and Information Technologies of the Russian Academy of Sciencies. (ILIT RAS)

Организационно ИПЛИТ РАН входит в состав Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук (ОНИТ РАН). Институт принимает участие в Координационном совете по оптике и лазерной физике при Президиуме РАН.

Институт разрабатывает фундаментальные и прикладные проблемы создания лазерных и информационных технологий, является одним из ведущих институтов по разработке мощных технологических CO2-лазеров, а также технологий и оборудования на их основе.

Основные направления деятельности института:

  • Лазерно-информационные технологии
  • Применение лазеров в биомедицине
  • Технологические лазеры, лазерно-компьютерные системы и технологии обработки материалов
Здание Отделения перспективных лазерных технологий — филиала ИПЛИТ РАН в г. Троицке Московской области. Улица Пионерская, д. 2

Институт расположен в г.Шатуре и имеет филиал в г.Троицке Московской области — отделение перспективных лазерных технологий (ОПЛТ ИПЛИТ РАН) .

Директор института — академик Панченко В. Я.

На начало 2006 г. общая численность сотрудников института составляла 270 человек, в том числе 95 научных сотрудников, включая 60 докторов и кандидатов наук.

В настоящее время штат института — 242 сотрудника, в том числе 82 научных сотрудника, включая 60 докторов и кандидатов наук.

История

Институт был создан как Научно-исследовательский центp по технологическим лазеpам АН СССР в 1979 году. Идея создания центра принадлежала академику Е. П. Велихову.. Во время перестройки входил в МНТК «Технологические лазеры».

23 марта 2016 года Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук был реорганизован путем вхождения в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук.[1]

1 апреля 2016 года на базе Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук создано Федеральное государственное учреждение «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук». Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН стал филиалом Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук».


Диссертационный совет

Научный семинар ИПЛИТ РАН.

На базе института проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук создан Диссертационный совет Д 002.126.01 по защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук и доктора наук по специальности научных работников 05.27.03 – Квантовая электроника (физико-математические науки, технические науки).


См. также ИПЛИТ РАН/Диссертации.

См. также

Примечания

  1. Приказ ФАНО № 108 от 23.03.2016 г. "Об утверждении новой редакции устава Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр „Кристаллография и фотоника“ Российской академии наук» и Устав Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр „Кристаллография и фотоника“ Российской академии наук»".

Ссылки