Международные конференции в 2009 году

Материал из ЭНЭ
Версия от 10:46, 17 февраля 2010; Юлия З (обсуждение | вклад)

(разн.) ← Предыдущая | Текущая версия (разн.) | Следующая → (разн.)
Перейти к: навигация, поиск
Международные конференции ИПЛИТ РАН в 2009 году.
«Advanced laser technologies» (ALT’09 г. Алания Турция)


В ИПЛИТ РАН организуется, стимулируется и поддерживается участие молодых учёных в различных отечественных и международных научных конференциях. Выполненные на высоком уровне доклады и опубликованные результаты неизменно вызывают заслуженный интерес у специалистов.

С 26 сентября по 1 октября 2009 года в г. Алания (Турция) проходила 17 – ая международная конференция «Advanced laser technologies» (ALT’09), в которой принимали участие сотрудники ИПЛИТ РАН в количестве 8 человек. Участники заслушали устные доклады, которые были представлены на секциях: Light-Matter Interaction, Laser Systems, Photoacoustics и ознакомились со стендовыми докладами.


На конференции молодыми специалистами ИПЛИТ РАН были представлены стендовые и устные доклады в секции Light-Matter Interaction.

Старший научный сотрудник Гришаев Р.В. выступил с докладом " Numerical Investigation of Laser Resonator for Generating Radially or Azimuthally Polarized Beams".

Аспирантом Лотиным А.А. были представлены 4 стендовых доклада:

  1. The erosive laser plume researches at the silicon ablation in vacuum.
  2. The influence of annealing on characteristics ZnO:N films.
  3. The optical and structural properties of quantum wells MgxZni_xO/ZnO

Electric properties of heterogeneous transitions between n- and p-type ZnO films and n-and p-type silicon substrates.

и устный доклад:

1. Application of the pulse laser deposition method for preparation film nanostructure of metals and semiconductors.

В секции Light-Matter Interaction младшим научным сотрудником Рочевой В.В. были представлены 3 стендовых доклада:

1. "Specific character of the Sn thin films growth on amorphous Si by CBPLD method".

2. "The erosive laser plume researches at the silicon ablation in vacuum"

3. "The influence of annealing on characteristics ZnO:N films"


В этой же секции младшим научным сотрудником Черебыло Е.А. были сделаны 3 стендовых доклада по следующим темам:

  1. "Creation of ohmic contacts on n- and p- type ZnO films by PLD method"
  2. "Electric properties of heterogeneous transitions between n- and p- type ZnO films and n- and p- type silicon substrates"
  3. "The influence of annealing on characteristics ZnO:N films"

Аспирантом Хайдуковым Е.В. были представлены 5 стендовых докладов в секции Light-Matter Interaction.:

  1. "The erosive laser plume researches at the silicon ablation in vacuum".
  2. "Specific character of the Sn thin films growth on amorphous Si by CBPLD method".
  3. "The influence of annealing on characteristics ZnO:N films".
  4. "Optical and structural properties of quantum wells Mgo,27Znoj30/ZnO produced by pulsed laser deposition".
  5. "Creation of ohmic contacts on n - and p - type ZnO films by PLD method

За время командировки младшим научным сотрудником Паршиной Л.С. были представлены 4 стендовых доклада по следующим темам :

  1. Electric properties of heterogeneous transitions between n - and p - type ZnO films and n - and p - type silicon substrates.
  2. Creation of ohmic contacts on n - and p - type ZnO films by PLD method.
  3. The influence of annealing on characteristics ZnO:N films.
  4. The erosive laser plume researches at the silicon ablation in vacuum.

В течение работы конференции участники прослушала устные доклады, которые были представлены на секциях: Light-Matter Interaction, Laser Systems, Laser in Atmosphere Monitoring и ознакомились со стендовыми докладами всех секций конференции.


LASER AND LASER-INFORMATION TECHNOLOGIES: FUNDAMETAL PROBLEMS AND APPLICATIONS (ILLA/LTL – 2009)


В период с 18 октября по 22 октября 2009 года в г.Смолян (Болгария) проходила 10-ая международная конференция LASER AND LASER-INFORMATION TECHNOLOGIES: FUNDAMETAL PROBLEMS AND APPLICATIONS (ILLA/LTL – 2009), в которой принимали участие сотрудники ИПЛИТ РАН. На международной конференции были представлены доклады 7 молодых специалистов ИПЛИТ РАН.

На конференции принимал участие директор НОЦ ЛОИ, профессор В.С. Майоров, который выступал с докладом «Program system for laser cutting» (В.С. Майоров, С.В. Майоров, S.M., Комаров), представлял стендовый доклад «Residual strain study in laser cutting» (В.С. Майоров, С.В. Майоров, М.Д, Хоменко, Р.В. Гришаев), а также вёл заседание одной из сессий конференции.

Участниками были заслушаны устные доклады, которые представляли на секциях: Light-Industrial Laser Technologies, Advanced Laser Technologies for Material Processing, Laser Technologies for Medical Physics and Biomedicine, Nanoparticles for Biomedical Applications, Semiconductor nanoclusters for optoelectronic applications и ознакомились со стендовыми докладами секций.

Хайдуковым Е.В. были представлены 4 стендовых доклада в секции Industrial Laser Technologies, Advanced Laser Technologies for Material Processing:

  1. "The CBPLD method for the silicon films deposition".
  2. "Morfology of the amorphous Si thin films received at various deposition temperatures by the CBPLD method".
  3. "Surface modification of crystalline silicon created by 532 nm nanosecond Nd:YAG laser pulses".
  4. "The nonlinear optical amplification observed in the rod structures and multiple quantum wells based on ZnO".

В секции Industrial Laser Technologies, Advanced Laser Technologies for Material Processing аспирантами и научными сотрудниками ИПЛИТ РАН были представлены следующие доклады:

  • аспирантом Хоменко М.Д. был представлен стендовый доклад: «Residual strain study in laser cutting»;
  • младшим научным сотрудником Черебыло Е.А. были сделаны 2 стендовых доклада:
  1. "THERMAL ANNEALING INFLUENCE ON PROPERTIES OF NITROGEN AND PHOSPHORUS DOPED ZNO THIN FILMS FABRICATED BY PULSED LASER DEPOSITION".
  2. "PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF NITROGEN AND PHOSPHORUS DOPED ZNO THIN FILMS FABRICATED BY PULSED LASER DEPOSITION".
  • Младший научный сотрудник Рочева В.В.в секции представила 3 стендовых доклада:
    1. «Morfology of the amorphous Si thin films received at various deposition temperatures by the CBPLD method».
    2. «The CBPLD method for the silicon films deposition».
    3. «Surface modification of crystalline silicon created by 532 nm nanosecond Nd:YAG laser pulses»;
      • Аспирант Паршина Л.С. сделала 2 стендовых доклада по темам:
        1. «PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF NITROGEN AND PHOSPHORUS DOPED ZNO THIN FILMS FABRICATED BY PULSED LASER DEPOSITIO».
        2. «THERMAL ANNEALING INFLUENCE ON PROPERTIES OF NITROGEN AND PHOSPHORUS DOPED ZNO THIN FILMS FABRICATED BY PULSED LASER deposition1»;
          • Аспирантом Лотиным А.А.был представлен стендовый доклад: №THE NONLINEAR OPTICAL AMPLIFICATION OBSERVED IN THE ROD STRUCTURES AND MULTIPLE QUANTUM WILLS BASED ON ZNO»;
          • Младшим научным сотрудником Черебыло С. А были сделаны 2 стендовых доклада:

1.«Laser stereolithography in cosmetic surgery» (S.A. Cherebilo, A. V. Evseev, P.N. Mitroshenkov)

2.Development of photo-curable composition and technique for thin-layer (Till 10 цт ) objects manufacturing. (Evseev A, Kamayev S, Kotzuba E., Markov M, Michrin V, Novikov M, Surovtsev M).


В течение работы на Х международной конференции ILLA'2009 участники прослушали устные доклады, которые были представлены на секциях: Industrial Laser Technologies, Advanced Laser Technologies for Material Processing, Laser Technologies for Medical Physics and Biomedicine, Nanoparticles for Biomedical Applications, Semiconductor nanoclusters for optoelectronic applications, a также ознакомились со стендовыми докладами всех секций конференции. Участники получили возможность пообщаться с учеными других стран и исследовательских институтов, узнали много нового, имели возможность обменяться опытом с коллегами и представить свои доклады на семинаре конференции.

Источник — «http://wiki.laser.ru/index.php?title=Международные_конференции_в_2009_году&oldid=28651»