ИПЛИТ РАН/Аспирантура
АСПИРАНТУРА ИПЛИТ РАН
- Лицензия: серия ААА № 002897, регистрационный номер 2772 от 19 апреля 2012 года Срок действия лицензии: бессрочно
- Приложение к Лицензии стр1
- Приложение к Лицензии стр2
- Свидетельство о государственной аккредитации аспирантуры ИПЛИТ РАН
- Приложение к свидетельству об аккредитации ИПЛИТ РАН
Содержание
Положения, нормативные документы
Приказы, объявления
- Расписание спецкурсов аспирантуры ИПЛИТ РАН на 2012−2013 учебный год
- Приказ о проведении аттестации аспирантов ИПЛИТ РАН в 2012 г.
Прием в аспирантуру 2014
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук проводит в 2014 году прием в аспирантуру по направлениям подготовки:
- 11.06.01 — Электроника, радиотехника и системы связи (бесплатное и платное обучение),
- 12.06.01 — Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии (платное обучение),
в соответствии с действующей лицензией на право ведения образовательной деятельности по программе послевузовского профессионального образования (серия ААА, № 002897, регистрационный № 2772 от 19.04.2012 г.) по специальностям: 05.11.17 — "Приборы, системы и изделия медицинского назначения"; 05.27.03 — "Квантовая электроника",
и государственной аккредитацией (свидетельство № 0379 от 29.12.2012 г.) по укрупненной группе направлений подготовки и специальностей послевузовского профессионального образования 05.27.00 — Электроника (аспирантура).
Контрольные цифры приема в бюджетную аспирантуру ИПЛИТ РАН на 2014 г. по направлению подготовки 11.06.01 — 2 чел. (Приказ Министерства образования и науки РФ от 27.12.2013 г. № 1417, Приложение № 272).
Подготовка аспирантов осуществляется ведущими специалистами института. По специальности 05.27.03 — "Квантовая электроника" на базе ИПЛИТ РАН действует Диссертационный совет Д 002.126.01 для защиты диссертаций на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, кандидата технических наук.
Срок обучения в очной аспирантуре — три года, заочной — четыре года.
Согласно приказу Минобрнауки России от 12 августа 2011 г. № 2202 «Об утверждении Перечня специальностей научных работников технических и естественных отраслей наук, срок обучения по которым в аспирантуре (адъюнктуре) государственных и муниципальных образовательных учреждений высшего профессионального образования, образовательных учреждений дополнительного профессионального образования, научных организаций может составлять четыре года в очной форме, пять лет в заочной форме», срок обучения по всем специальностям аспирантуры ИПЛИТ РАН может быть при зачислении продлен до четырех лет в очной и пяти лет в заочной аспирантуре.
Гражданам Российской Федерации, принятым в очную аспирантуру ИПЛИТ РАН, предоставляется отсрочка от армии. Иногородним аспирантам предоставляется общежитие.
Контактная информация: ИПЛИТ РАН, г. Шатура Московской области, ул. Святоозерская, д. 1, корпус 1А, к. 203. Тел. 8 (49645) 22200, доб. 121. E-mail: novikova [@] shatura.laser.ru
- Правила приема в аспирантуру ИПЛИТ РАН в 2014 г.
- Программа вступительного экзамена в аспирантуру ИПЛИТ РАН по специальной дисциплине
- Программа вступительного экзамена в аспирантуру ИПЛИТ РАН по философии
- Программа вступительного экзамена в аспирантуру ИПЛИТ РАН по английскому языку
Учебные планы
Рабочие программы дисциплин
- Рабочая программа дисциплины «История и философия науки»
- Рабочая программа дисциплины «Иностранный язык (Английский язык)»
- Рабочая программа дисциплины «Мощные технологические лазеры»
- Рабочая программа дисциплины «Лазерные технологии»
Кандидатские экзамены
- Порядок сдачи кандидатского экзамена по курсу «История и философия науки»
- Программа кандидатского экзамена по курсу «История и философия науки»
- Порядок сдачи экзамена по иностранному языку
- Программа кандидатского экзамена по курсу «Иностранный язык (Английский язык)»
- Программа кандидатского экзамена по специальности 05.27.03 – «Квантовая электроника»
